一种半导体器件以及制备方法、电子装置

Abstract

本发明涉及一种半导体器件以及制备方法、电子装置,所述方法包括:提供基底,在所述基底中形成有集成电路;在所述基底上沿垂直方向依次形成加速度传感器、压力传感器和湿度传感器,以实现在垂直方向上的集成。本发明为了解决现有技术中存在的问题,提供了一种新的制备方法,所述方法中利用低温SiGe作为结构层,利用无定形碳作为牺牲材料层,形成CMOS‑MEMS电路垂直整合的湿度传感器和电容式压力传感器以及2轴加速度计,使总体的芯片面积有效减小,可以有效的提高晶圆芯片生产效率并提升单颗芯片的功能。

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